三星泰勒1号厂加码投资,冲刺2纳米

三星泰勒1号厂加码投资,冲刺2纳米
核心摘要

三星电子已在美国得克萨斯州泰勒市启动1号晶圆厂的后续设备投资,完成量产前的最后阶段布局。该厂是三星在美国的首条晶圆代工量产线,目标到明年下半年具备每月2万片晶圆的2纳米产能。近期订购的设备将先满足每月约6000片产能需求,并陆续运入工厂。

正文解读

1号工厂自2022年开工以来,三星累计投资约370亿美元,计划2026年底运营、2027年起量产EUV 2纳米芯片。三星2纳米良率已从年初约60%提升至约80%,达到可量产水平。订单方面,该厂投产前已获得满额2纳米订单,客户包括特斯拉AI5和AI6芯片、博通通信芯片及Arm智能设备芯片。其中,三星与特斯拉于2025年7月签署约165亿美元长期供应合同,期限至2033年底。

扩产节奏并未止步。三星计划11月初启动泰勒2号工厂建设,规模约为1号厂的1.5倍,目标2030年量产2纳米芯片。三星在得州中部整体投资超过370亿美元,美国《芯片与科学法案》已批准最高47.45亿美元直接补贴。不过,竞争格局仍待检验。

要点:泰勒工厂是三星在美国的首条代工量产线,订单已满但产能爬坡刚开始;三星2纳米良率提升明显,但客户集中度高,长期供应合同为收入提供基础;三星持续扩产,但台积电领先地位依然稳固。

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