11 月 6 日，据 The Information 报道，应英伟达要求，台积电正评估生产 3D DRAM 的可能性。这一动向标志着两大巨头在先进存储技术上可能展开新合作。
3D DRAM 通过垂直堆叠存储单元提升容量和带宽，有望满足 AI 芯片对高带宽内存的迫切需求。目前 HBM 等方案受限于制造工艺与成本，而 3D DRAM 被视为下一代候选技术。
台积电在先进封装和晶圆制造上具备优势，但 DRAM 生产与传统逻辑芯片工艺差异较大，需要克服良率与成本挑战。若项目推进，可能重构存储产业的现有分工格局。
从市场角度看，英伟达此举或意在优化 AI 加速器的内存瓶颈，同时降低对传统 DRAM 厂商的依赖。不过目前仍处于早期考虑阶段，实际落地仍需时间。
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