马斯克近日在回应存储芯片股遭抛售的讨论时表示，中国一旦掌握某种产品的制造技术，其扩大生产规模的能力往往超过世界其他地区的总和，锂电池和太阳能领域已经出现过这种情况。此番言论被市场视为对中国存储芯片产业快速崛起的侧面印证，也解释了近期资金对全球内存供应链竞争格局的重新定价。
正文解读
马斯克进一步指出，内存行业或许有所不同，但约三年前内存仍是低利润率的大宗商品，LP5 和 LP6 遵循通用标准，中国似乎正在迅速攻克相关技术。不过他也强调，新一代 HBM 架构，以及在逻辑电路下方设置 SRAM 层、在上方三维堆叠内存并同时解决逻辑电路散热等技术，将更难攻克。这意味着中国在传统通用内存领域具备规模化优势，但在下一代先进封装和异构集成层面仍面临较高技术门槛。
此前长鑫科技宣布在新一代 DRAM 的 4F² 架构研发上取得关键进展，预计年底推出融合该架构、混合键合等技术的 DDR5 RDIMM 服务器内存产品。相较主流 6F² 架构，4F² 理论上可使单元面积缩减约三分之一，在相同晶圆面积和制程节点下提升约 50% 的存储密度，令市场对未来竞争及供应扩张的担忧升温。马斯克的表态实际上呼应了这一产业动态，即中国在成熟制程和规模化制造上的冲击力，可能对现有存储巨头形成长期价格压力。
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