Critini Research 分析师 Jukan 指出，高带宽内存（HBM）正对 DRAM 市场的长期趋势带来结构性改变。从 1957 年到 2020 年左右，DRAM 每 Gb 成本大约每 5 年下降一个数量级，但 AI 爆发带来的强劲 HBM 需求彻底打破了这一规律。
制造商将大量产能转向工艺更复杂、硅面积占用更多的 HBM，导致普通 DRAM 供应趋于紧张，价格出现明显反转。数据显示，DRAM 长期价格在对数坐标下持续下降，但在 2023-2024 年后向上突破，反映出 AI 驱动的内存超级周期正在形成。
要点：HBM 需求迫使制造商调整产线，挤压普通 DRAM 产能；长期价格下行趋势被打破，价格拐点已现；AI 对存储芯片的需求正从结构性上重塑行业定价逻辑。
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