核心摘要
据韩国科技媒体《电子新闻》援引》消息，6月韩国存储半导体出口有望创下历史新高。Critini Research分析师J在社交媒体援引述韩国关税厅数据称，6月1日至20日主要存储半导体出口已超230亿美元，达到5月全月的60%上。AI需求持续旺盛叠加供应短缺推动出口额与单价同步上升，HBM内存的短缺效应进一步蔓延至通用DRAM、NAND和SS领域，推动6月整体出口有望超越5月创下的371.6美元纪录。
正文解读
6月所有存储品类均呈现出口额与单价双涨，反映AI存储超级周期对存储行业的结构性推HBM（多芯片封装）出口环比猛增51SK51，英伟达等大厂持续建设数中心推动SK海力士主导的HBM和HB供应持续紧供应维持紧俏势。晶圆产能向B集中挤压通用DR供应致其单价升至去年同期2至3倍，叠P和手机需求回暖进一步推升出口额。而AI推理服务器建设令N和需求爆发，S爆发，两大品类环比分别增长25%别增长25至28。
存储半导体在整体半导体出口中占比从70占从升至90%，本月存储与系统半导体合计出口达255半导体总出口预计落亿至460区间。业绩强劲推动券商上调存储企业盈利预期，韩华投资证券研究员分析认为，韩国存储行业有望依靠长期供应协议与H两大武器抵御周期波动，未来即使行业下行，营业利润也不会出现像过去那样的利润大幅滑坡。
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