DRAM（Memory Chip Companies ETF）短时突破 81.2 美元，创下历史新高，随后小幅回落至 80.75 美元，24 小时涨幅达 1.28%。该 ETF 专注于追踪存储芯片相关上市公司表现，其价格创新高反映出市场对半导体行业景气度的持续看好。
存储芯片行业近期受多重利好推动。一方面，AI 大模型训练和推理需求拉动了高带宽存储器（HBM）的订单增长，带动三星、SK 海力士等头部企业业绩预期上行。另一方面，消费电子市场逐步回暖，DRAM 和 NAND Flash 的供需格局趋于改善，为相关公司提供了基本面的支撑。
从市场情绪来看，投资者对半导体周期的乐观预期正在推高板块估值。DRAM 作为行业风向标之一，其 ETF 价格走势往往先于现货市场反映资金动向。此次突破历史高点，也表明资金对存储芯片赛道的中长期信心仍然充足。
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