存储难全面崩盘 HBM吸收DDR产能

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核心摘要

Critini Research 分析师 Jukan 在 6 月 25 日发布观点称，若未来 DDR 内存供应增加导致价格承压，存储芯片厂商可通过将部分 DDR 产能转向 HBM（高带宽内存）来对冲风险，从而避免整个存储市场出现剧烈崩跌。这一策略的关键在于产能的灵活调配，而非单纯依赖某一产品线的价格走势。

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Jukan 指出，即便 DDR5 价格最终回落至此前的水平——尽管他认为当前的 DDR 价格更可能已成为新常态——这也不意味着存储芯片市场会随之崩溃。原因在于，HBM 的旺盛需求将持续吸收原本用于生产通用型 DRAM 的产能，为存储芯片价格提供下行支撑。

从供需结构来看，DDR 与 HBM 之间的产能转换机制正在成为存储器行业抵御周期性波动的关键工具。随着 AI 训练和推理任务对高带宽内存的需求持续攀升，HBM 有望在未来数个季度内继续扮演消化产能的角色。

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