东芝电子元件及存储装置株式会社于 6 月 30 日宣布，推出采用最新一代工艺 U-MOS11-H 制造的 80V N 沟道功率 MOSFET——TPM1R408RH。该产品即日起开始出货，主要面向 AI 数据中心和通信基站等工业设备的开关电源场景。
TPM1R408RH 搭载了东芝最新的 U-MOS11-H 工艺，在导通电阻和开关性能上较前代产品有所提升。对于 AI 数据中心和通信基站这类高功耗、高要求的工业设备而言，功率 MOSFET 的效率直接关系到整体系统的能耗与散热表现。新品的推出有助于设备厂商在提升电源转换效率的同时，降低系统散热压力。
近年来，AI 算力需求爆发式增长，带动数据中心基础设施加速升级，对高性能功率器件的需求也同步攀升。通信基站方面，5G 网络建设的持续推进同样需要更高效稳定的电源方案。东芝此次选择在 80V 这一关键电压等级上推出新品，正是瞄准了这两大高增长市场的核心电源需求。
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