核心摘要
三星电子在高带宽存储器领域持续取得技术突破。据 BlockBeats 报道，三星电子在完成全球首个 HBM4（第六代）量产后，正加速推进 HBM4E（第七代）及下一代 DRAM 的研发工作。三星 DS 部门 CTO 兼半导体研究所所长 Song Jae-hyuk 在内部说明会上透露，HBM4E 可靠性测试良率已提升至 70% 以上。
正文解读
在存储芯片行业，良率超过 80% 通常被视为进入工艺稳定的”成熟良率”阶段。HBM4E 目前仍在可靠性测试阶段，70% 以上的良率水平被市场解读为开发正进入稳定区间，距离商业化量产又近一步。三星已于今年 2 月率先量产出货 HBM4，并于 5 月公开了 HBM4E 12 层产品的详细技术规格，同时向主要客户交付样品。
从产品应用来看，HBM4 将用于英伟达下半年推出的 AI 加速器 Vera Rubin，而 HBM4E 则预计搭载于英伟达明年推出的下一代 AI 加速器 Vera Rubin Ultra 等产品。这意味着三星在 HBM 领域的布局已与英伟达的 AI 芯片路线图深度绑定。
三星下一代 DRAM 工艺开发同样进展顺利。Song Jae-hyuk 认为，其 D1d 工艺技术相较竞争对手具备优势，目前正以 11 月获得生产准备批准为目标推进开发。D1d 是三星计划从下一代 HBM5（第八代）起应用的核心 DRAM 工艺，若按计划推进，将对下一代 DRAM 及 HBM5 后续产品的市场竞争力产生积极影响。
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