铠侠控股本周宣布，已开始向AI数据中心运营商提供下一代闪存芯片样品，正式加入该利润丰厚的市场竞争。这家总部位于东京的芯片制造商称，其最新高密度3D闪存芯片在能效和传输速度上均实现提升，旨在与行业对手争夺先机。
新款芯片为332层、第十代3D NAND闪存，存储容量较上一代旗舰产品即第八代芯片提升了59%。这一技术突破直接服务于AI训练和推理场景中日益增长的数据吞吐需求，帮助数据中心在有限空间内实现更高密度的存储部署。
当前，全球AI算力中心对高性能存储的需求激增，三星、SK海力士和美光均已加速迭代各自的闪存产品。铠侠此次量产前就率先送样，意在绑定重点客户并缩短商业化周期。不过，芯片实际良率和供货稳定性仍待市场验证。
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