核心摘要
美光科技（Micron）正全力推进全球产能扩张，以应对人工智能驱动下HBM、DRAM及NAND内存的严重短缺。公司预计供给紧张局面将延续至2026年后，新产能从2027年起陆续释放，整体投资规模庞大。
正文解读
在美国本土，美光重仓布局。弗吉尼亚州Manassas工厂已于2026年5月实现1α nm制程量产，20亿美元扩产项目将DDR4晶圆供货规模提升4倍，重点供应汽车、国防、工业等领域，并获芯片法案补贴支持。爱达荷州博伊西投资约500亿美元建设前沿工厂，首座工厂预计2027年中投产；近期公司进一步扩大美国投资至约2000亿美元（制造+研发），包括新增第二座晶圆厂。纽约州Clay千亿美元级megafab项目持续推进，计划建设多座晶圆厂，目标2030年前后大规模量产。
在亚洲，美光同步扩产。日本广岛7月初举行1.5万亿日元（约93亿美元）扩建奠基仪式，专注高端HBM等AI芯片，预计2028年左右出货，日本政府提供高额补贴。新加坡1月启动240亿美元NAND先进晶圆厂建设，2028年下半年投产。台湾以18亿美元收购力积电铜锣晶圆厂，预计2027年投产DRAM。
美光强调，扩产主要为满足长期需求及供应链本土化，并非短期大幅增加消费级供给。分析认为，整体DRAM/NAND短缺格局短期难改，价格仍有支撑。此轮全球扩产预计将显著提升美光产能，并创造数万个就业岗位。公司目标到2030年前后在美国生产约40%的DRAM。
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