核心摘要
英特尔正考虑在1.4纳米级超微细工艺中采用同时利用前面和背面供电的架构，以追赶竞争对手。业内消息称，英特尔原计划在1.4纳米级基础工艺14A中采用背面供电专用技术PowerDirect，但在后续工艺14A2中，正考虑引入同时使用前面和背面的Dual side架构。
正文解读
英特尔此前公布计划称，将在14A工艺上较18A提升1.3倍芯片密度，目标M0间距约为28纳米。而14A2工艺可能通过半节点式改进，将M0间距推进至21纳米。英特尔将在维持背面供电网络为主的同时，将部分前面金属布线重新分配为辅助电源及Clock信号用途，以弥补微缩和曝光限制带来的电力裕量不足。
从市场格局看，英特尔14A工艺计划于2028年进入风险生产，2029年量产。该公司需在今年10月向外部客户发布14A工艺0.9版本工艺设计套件，并在此后18个月内获得大型无晶圆厂客户确定订单。相比之下，台积电已计划在2028年出货真正1.4纳米A14成品，三星电子也计划于2027年商用采用背面供电技术的2纳米改良工艺SF2Z。
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