核心摘要
SK 海力士已正式启动龙仁半导体集群首座晶圆厂 Y1 第一阶段洁净室的设备采购，初期规划新增月产 2 万片的 1c DRAM 产能。根据韩媒报道，Y1 原定于 2027 年 5 月启用第一阶段洁净室，现已提前至 2027 年 2 月，公司计划届时启动试生产线建设，并于 3 月至 4 月进行正式设备安装，以加速扩大月产 2 万片的生产能力。
正文解读
该产线主要生产第六代 10 纳米级 1c DRAM，这类芯片可用于 AI 相关的高附加值 DDR 和 LPDDR 产品，并计划应用于最早于 2027 年商业化的 HBM4E。为加快设备导入，SK 海力士还将通常于年末进行的设备售价合同谈判提前至第三季度初，显示出其对产能扩张的紧迫性。
SK 海力士正同步加快龙仁半导体集群整体建设进度。该项目总投资约 600 万亿韩元，由 4 座晶圆厂组成，第四座晶圆厂完工目标已由 2045 年提前至 2033 年；Y1 第二及第三阶段洁净室预计将于今年下半年开始建设。这表明公司在 AI 存储芯片需求旺盛的背景下，正全力压缩时间表。
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