核心摘要
三星电子已在平泽 P5 工厂启动 Die-to-Wafer（晶粒到晶圆）混合键合量产线的建设，目标直指下一代 HBM 与逻辑半导体的先进封装。核心设备供应商首选荷兰公司 Besi，三星计划采购约 50 台混合键合机，单台价格约 60 亿韩元（约 430 万美元），是竞品价格的两倍。
正文解读
不过，由于三星要求对设备架构进行定制修改，双方谈判进展较慢，而 Besi 同时也在供应台积电与美光，对单独为三星改机持谨慎态度。在此背景下，三星也在同步考虑本土替代方案。子公司 SEMES 已完成 D2W 混合键合机的开发，并于今年早些时候送样验证。韩华 Semitech 则在 2 月完成第二代「SHB2 Nano」开发，4 月已向 SK 海力士送样，其集成 EFEM、等离子激活与清洗模块的集群系统形成了差异化竞争力。
混合键合技术采用铜直接键合替代传统热压键合，可将铜与介质材料直接连接，大幅缩短互连长度。核心应用场景为定制 HBM，即将 HBM DRAM 层直接垂直堆叠在含客户计算电路和 IP 的逻辑 die 上，形成 3D 系统级封装。
Citrini 分析师 Jukan 表示，混合键合预计将用于英伟达下一代 AI 加速器 Feynman，该芯片将采用定制 HBM，但技术落地时间「已从 HBM4E 向后推迟」。三星内部预计，该技术要到 2029 至 2030 年左右方能实现规模化应用，这一时间点与英伟达 Feynman 的预期窗口基本重合。需要注意的是，当前设备供应链的不确定性以及技术落地时间的推迟，仍可能对相关产品的量产节奏产生影响。
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