SK 海力士正在加速推进面向端侧 AI 的下一代 DRAM 技术——3D 堆叠 DRAM 的研发。该公司近期已启动相关人才招聘计划，并计划与美国客户合作，共同设计这一技术方案。
3D 堆叠 DRAM 是一种将存储芯片直接堆叠在逻辑半导体之上的下一代半导体技术。业内分析认为，在生成式 AI 之后的物理 AI 时代，这类技术将成为端侧 AI 设备的核心半导体解决方案，有望大幅提升芯片的集成度与性能表现。
据悉，SK 海力士正通过位于美国圣何塞的美洲法人招聘 3D 堆叠 DRAM 设计工程师，以推进相关技术研发。这一布局显示出该公司正积极在全球范围内整合技术资源，以抢占端侧 AI 存储芯片的竞争先机。
目前，3D 堆叠 DRAM 仍处于早期研发阶段，距离量产和商业化落地仍有相当距离。技术路线、良率控制以及与客户需求的匹配度，仍是决定这一技术能否最终走向市场的关键变量。
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