AI半导体竞赛转向3D堆叠

AI半导体竞赛转向3D堆叠
核心摘要

半导体AI性能竞赛正进入新赛道。Citrini分析师Jukan援引ZDNet Korea行业分析指出,随着传统制程微缩逐渐逼近物理极限,将逻辑与内存垂直集成的3D IC技术正成为下一代关键方向。三星Foundry近期收到的3D IC询价激增,几乎每个潜在客户都在关注这项技术。不过Jukan认为,3D IC本质上是按单定制的DRAM产品,与三星和SK海力士以大规模标准化生产为核心的商业模式存在根本冲突,两家韩国巨头预计将仅停留在初步研究阶段,对全面商业化保持谨慎。

正文解读

韩国厂商的结构性犹豫为利基玩家打开了窗口。受美国半导体限制影响,中国长鑫存储难以进入HBM主流市场,转而将3D IC作为差异化突破口,瞄准定制化内存赛道,而非与韩厂在大宗DRAM领域正面竞争。韩国半导体行业官员透露,中国已在多款3D DRAM样品芯片的生产上取得领先。分析师指出,长鑫存储与华邦电子这类利基市场参与者很可能率先将这一市场建立起来。

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