核心摘要
三星证券半导体及IT分析师Lee Jong-wook在7月28日发布的报告中指出，多家媒体7月27日报道称，一家中国国家支持企业的浸没式DUV光刻设备可能进入量产阶段，计划在2026年生产中芯国际和长鑫存储所需的5台设备，2027年生产20台，但目前仍需验证量产能力。作为对比，ASML在2025年共出货了131台浸没式DUV设备，主要用于7nm、14nm及28nm芯片的生产。
正文解读
该报告强调，这一进展并非全新消息。2025年已有报道称，上海一家与华为有关联的企业正在研发193nm浸没式DUV，本次量产项目被认为由同一开发团队主导。其重要意义在于，这是中国首次实现浸没式平台的国产化；即便暂时不考虑性能差距，这也相当于掌握了ASML约2008年的技术水平，对ASML等全球设备企业构成负面影响。
不过，中国半导体对本轮AI芯片周期的影响有限，因为本轮周期的核心仍然是美国超大规模云服务商与英伟达的数据中心生态。AI芯片和服务器DRAM并非同质化商品，质量与现场故障率会直接影响总拥有成本，且产品验证需要较长时间；叠加地缘政治风险，中国AI芯片和DRAM短期内难以进入美国数据中心生态。
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