核心摘要
BlockBeats 消息，7 月 6 日，Critini Research 分析师 Jukan 指出，三星与 SK 海力士正重新评估在 HBM 中采用混合键合技术的时机，即便到 HBM5 阶段也可能暂不部署。这一判断意味着存储器巨头对下一代封装技术的商业化节奏正在调降预期。
要点
- 厚度标准放宽削弱混合键合紧迫性：JEDEC 正讨论将 HBM5 厚度上限放宽至约 1000μm，相比 HBM3E 的 720μm 有显著提升。标准松动后，混合键合在无凸点减薄方面的优势不再关键。
- 散热问题出现更简单方案：三星开发了 Heat Path Block，SK 海力士推出 iHBM（ICE HBM），均为在 HBM 旁放置独立散热器件，计划从 HBM5 开始应用，技术难度更低且商业化路径更稳妥。
- 当前行业对 16 层以上高堆叠需求并不紧迫，12 层产品在 HBM4E 阶段仍可能占据市场主流。
正文解读
不过混合键合的研发并未停滞。当前 HBM4 的 I/O 数量已翻倍至 2048 个，现有 TC 热压合工艺已接近极限。若未来 HBM5E 阶段 I/O 进一步翻倍至 4096 个，凸点横向扩散将使 TC 键合难以支撑，届时必须采用铜直接键合的混合键合技术以实现更高密度连接。
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